Glosario Automatización Industrial / Término
Término que se aplica a un semiconductor dopado en bajas proporciones (algunas partes por millón) por átomos de un donador o de un aceptor que liberan portadores en él electrones libres si las impurezas introducidas son pentavalentes o huecos si las inpurezas son trivalentes.
Enlace permanente: Extrínseco - Fecha de actualización: 2018-10-21 - Fecha de creación: 2018-10-21