MOSFET

El transistor MOSFET (del inglés Metal-oxide-semiconductor FET) cuenta con un canal de semiconductor tipo n, una región tipo p y una puerta aislada. Los electrones libres pueden fluir desde el surtidor al drenador a través del material tipo n. La región p recibe el nombre de sustrato y reduce físicamente la trayectoria de conducción a un canal muy estrecho. Los electrones fluyen en la forma indicada y deben pasar este angosto canal cuya anchura efectiva se controla mediante el potencial aplicado a la puerta. Como la puerta está ailada del canal, la corriente de entrada a la puerta es despreciable.